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专利名称：制造半导体集成电路的纳米晶硅结构的方法专利类型：发明专利发明人：三重野文健
申请号：CN200910056733.6申请日：20090820公开号：CN101993037A公开日：20110330
摘要：一种制造集成电路器件的纳米晶硅结构的方法，所述集成电路器件例如为存储器、动态随机存取存储器、闪存、只读存储器、微处理器、数字信号处理器、专用集成电路。在特定实施例中，本发明包括提供包括表面区域的半导体衬底。根据特定实施例，该方法包括形成覆盖表面区域的绝缘层(例如，二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅)。该方法包括形成预定厚度的覆盖绝缘层的非晶硅材料，该预定厚度小于20纳米。该方法包括使非晶硅材料经过热处理工艺，以促使形成来自小于20纳米的厚度的非晶硅材料的多个纳米晶硅结构。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：李丽
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