（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201611047830.5 （22）申请日 2016.11.21 （71）申请人 电子科技大学
地址 611731 四川省成都市高新西区西源大道200653F7
（10）申请公布号 CN1063501A
（43）申请公布日 2017.01.25
（72）发明人 任敏;包惠萍;林育赐;谢驰;李家驹;李泽宏;张波 （74）专利代理机构 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 葛启函
（51）Int.CI
H01L29/06;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种功率半导体器件的场限环终端结构
（57）摘要
本发明属于半导体功率器件制备技术领
域，特别涉及一种功率半导体器件的场限环终端结构。该终端结构的终端区域具有两个或两个以上的深度不等的沟槽，所述沟槽紧密相连且沟槽内填充有相同的绝缘介质，所述沟槽中深度最小的沟槽的上侧面与有源区的主结相邻，沟槽底部进行掺杂形成终端区浮空场环。本发明将具有水平间距的浮空场环结构向器件内部折叠，可以充
分利用体内漂移区厚度，从而缩小终端的横向面积，提高了终端的利用效率。
法律状态
法律状态公告日
2017-01-25 2017-01-25 2017-03-01 2017-03-01 2019-11-29
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
一种功率半导体器件的场限环终端结构的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
一种功率半导体器件的场限环终端结构的说明书内容是....请下载后查看