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专利名称：使用无氮介电蚀刻停止层的半导体元件及其制程专利类型：发明专利
发明人：林思宏,张文,章勋明,梁孟松申请号：CN03153190.3申请日：20030808公开号：CN1514477A公开日：20040721
摘要：本发明是关于一种使用无氮介电蚀刻停止层的半导体元件及其制程，其制程步骤包括：提供一基底；依序形成一第一蚀刻停止层及一第二蚀刻停止层于上述基底上，其中上述第二蚀刻停止层是为一无氮介电材料的停止层，而此第一蚀刻停止层是为碳化硅(SiC)层；形成一介电层于该第二蚀刻停止层上；依序定义上述介电层、第二蚀刻停止层以及第一蚀刻停止层以构成至少一开口于上述基底上，并露出开口内的基底；以及形成一导电层于上述开口内。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：省新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：王一斌
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