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专利名称：一种复合传感器及制造方法专利类型：发明专利
发明人：朱二辉,周志健,陈磊,杨力建,邝国华申请号：CN201610316602.7申请日：20160512公开号：CN105905866A公开日：20160831
摘要：本发明涉及传感器加工技术领域，尤其涉及复合传感器及制造方法，复合传感器，包括，硅衬底，硅衬底中的至少一个第一预定空腔、至少一个第二预定空腔、至少一个第三预定空腔；在硅衬底表面预定位置形成有若干个用以形成加速度传感器、压力传感器、温度传感器的半导体掺杂电阻，半导体掺杂电阻与导电线电连接；于至少一个第一预定空腔上方的悬空硅膜形成第一释放槽，于至少一个第三预定空腔上方的悬空硅膜中形成第二释放槽，第一释放槽结合第二释放槽形成一悬空释放结构；加速度传感器可动结构外部设置有限位挡板，该限位挡板具有精确的过载限位保护作用，另外其过载限位装置的结构简单，制作过程相对较容易掌握，有利于产品的批量生产。
申请人：广东合微集成电路技术有限公司
地址：523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区新竹路总部一号6栋5楼
国籍：CN
代理机构：北京品源专利代理有限公司
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