专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：半导体存储装置专利类型：发明专利发明人：小林祐介
申请号：CN202010794520.X申请日：20200810公开号：CN112599559A公开日：20210402
摘要：至少一个实施方式提供了能够改善电特性的半导体存储装置。一种半导体存储装置包括第一布线、第二布线、绝缘膜、电阻变化膜和绝缘部。第一布线在第一方向上延伸。第二布线在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且在与第一方向和第二方向相交的第三方向上设置在与第一布线不同的位置。绝缘膜在第三方向上设置在第一布线和第二布线之间。电阻变化膜在第三方向上设置在第一布线和第二布线之间，并在第一方向上与绝缘膜相邻。绝缘部包括在第三方向上设置在第一布线和第二布线之间的部分，并且从与电阻变化膜相反的一侧与第一绝缘膜相邻。
申请人：铠侠股份有限公司
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：徐殿军
更多信息请下载全文后查看