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专利名称：形成碳纳米管结构的方法及用其制造场发射器件的
方法
专利类型：发明专利
发明人：金夏辰,韩仁泽,崔荣喆,郑光锡申请号：CN200710003741.5申请日：20070124公开号：CN101097826A公开日：20080102
摘要：本发明提供一种形成碳纳米管(CNT)结构的方法以及利用形成碳纳米管结构的该方法制造场发射器件的方法。形成CNT结构的方法包括：在基板上形成电极；在所述电极上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成颗粒形催化剂层；蚀刻通过所述催化剂层暴露的所述缓冲层；以及从形成在所述被蚀刻的缓冲层上的所述催化剂层生长CNT。
申请人：三星SDI株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：张波
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