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专利名称：提高射频电路的最高振荡频率的方法专利类型：发明专利发明人：包自意,钱蔚宏申请号：CN200910047439.9申请日：20090312公开号：CN101834151A公开日：20100915
摘要：本发明中公开了一种提高射频电路的最高振荡频率的方法，该方法包括：在半导体材料上分别形成射频电路的栅极、源极和漏极；将所述源极和/或漏极与第一金属层连接，将所述栅极与所述第二金属层之上的金属层连接，以减小射频电路中的寄生电容，从而提高射频电路的最高振荡频率f。通过使用上述方法，可有效地提高射频电路的最高振荡频率f，改善半导体元器件的电学性能。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司
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