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专利名称：使用电容性耦合钳位电路用于保护低电压磁芯晶体
管免受高电压输出的ESD保护
专利类型：发明专利
发明人：邝国权,吴植伟,苏伟杰,关兴杰申请号：CN201010148208.X申请日：20100319公开号：CN101800424A公开日：20100811
摘要：一种静电放电(ESD)保护电路用于保护磁芯晶体管。n-通道输出晶体管的栅极的内部节点连接n-通道栅极接地晶体管的漏极并接地。栅极接地晶体管的栅极是一个栅极耦合节点，其通过ESD耦合电容器被耦合到输出，并通过n-通道禁止晶体管和漏泄电阻器被接地。n-通道禁止晶体管的栅极被连接到电源，并在接通电源时禁止ESD保护电路。一个被施加到输出的ESD脉冲通过ESD耦合电容器被耦合以升高栅极耦合节点的脉冲，并打开栅极接地晶体管以将n-通道输出晶体管的栅极接地，其亦击穿以将ESD电流分流。通过栅极接地晶体管的保护，免除了ESD脉冲通过n-通道输出晶体管的寄生米勒电容器的耦合而进入磁芯电路。
申请人：应用科技研究院有限公司
地址：中国新界沙田科学园科技大道西二号生物资讯中心三楼
国籍：CN
代理机构：深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人：江耀纯
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