（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201811486114.6 （22）申请日 2018.12.06
（71）申请人 住友电气工业株式会社
地址 日本大阪府
（10）申请公布号 CN109881177A
（43）申请公布日 2019.06.14
（72）发明人 住吉和英
（74）专利代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 张苏娜
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
形成氮化硅（SiN）膜和具有SiN膜的半导体器件的方法
（57）摘要
本发明披露了一种用于氮化物半导体材料
的低压化学气相沉积(LPCVD)技术的顺序。所述顺序包括如下步骤：将炉内温度设定为750℃至900℃；将炉内气氛置换为氨气(NH
法律状态
法律状态公告日
2019-06-14 2019-06-14
公开 公开
法律状态信息
公开 公开
法律状态
法律状态公告日
2020-08-25
法律状态信息
实质审查的生效
法律状态
实质审查的生效
权利要求说明书
形成氮化硅（SiN）膜和具有SiN膜的半导体器件的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
形成氮化硅（SiN）膜和具有SiN膜的半导体器件的方法的说明书内容是....请下载后查看